L’explosion de la croissance de l’infrastructure d’intelligence artificielle (IA) a atteint une contrainte critique : les puces mémoire, ce qui a permis à un fonds négocié en bourse (ETF) récemment lancé d’enregistrer des gains impressionnants et a poussé les principales actions de semi-conducteurs à des sommets historiques.
La compression sur le marché de la mémoire vive
Depuis son lancement le 6 avril, le Roundhill Memory ETF (BATS:DRAM) [https://www.benzinga.com/quote/DRAM] a connu une hausse de 90 %, ayant déjà accumulé plus de 6,25 milliards de dollars d’actifs.
La montée en flèche du fonds met en lumière une réalité frappante dans le secteur de la tech : l’offre mondiale en mémoire à haute bande passante (HBM) ne peut pas suivre le rythme de la demande croissante des centres de données.
“Les investisseurs réalisent que le principal goulot d’étranglement dans la construction des réseaux d’IA sont en fait les puces mémoire”, a déclaré Dave Mazza, PDG de Roundhill Investments, à la CNBC.
Il a souligné un “déséquilibre incroyable entre l’offre et la demande” qui est en train de transformer rapidement le secteur de la mémoire, historiquement cyclique, en un véritable boom structurel.
La hausse à trois chiffres de Micron
Ce goulot d’étranglement sévère a directement alimenté la surperformance massive de leaders du secteur tels que Micron Technology Inc. (NASDAQ:MU), dont le titre a vu sa valeur plus que doubler depuis la fin mars, enregistrant une hausse de 82,26 % sur le mois.
Selon Drew Pettit, directeur de la recherche sur la stratégie actions des États-Unis chez Citi, cette ascension rapide est fondamentalement justifiée. “C’est parce que l’élan des prix est soutenu par un élan des bénéfices”, a expliqué Pettit.
Il a souligné que les analystes projettent d’énormes mises à jour de la rentabilité pour ces fabricants de puces. Même après avoir enregistré des mouvements à trois chiffres en pourcentage, Pettit a noté que ces actions mémoire étaient encore “à des prix raisonnables” car les attentes en matière de bénéfices pour les prochaines années ont été multipliées par six à huit.
Les principales positions du DRAM ETF incluent Samsung Electronics, SK hynix, Micron Technology, SanDisk Corp (NASDAQ:SNDK), Western Digital Corp (NASDAQ:WDC) et Seagate Technology Holdings (NASDAQ:STX).
Un changement structurel durable
L’ampleur même des dépenses d’investissement des hyperscalers est en train de remodeler de manière permanente l’industrie des semi-conducteurs. Les revenus de Micron provenant des centres de données ont grimpé en flèche, passant de seulement 15 % il y a quelques années à 65 % de son activité totale aujourd’hui.
De plus, les principaux producteurs de mémoire abandonnent les accords à court terme au profit de contrats pluriannuels à long terme. Comme la fabrication de nouvelles usines de mémoire prend entre trois et cinq ans, Mazza prévoit que cette contrainte d’approvisionnement lucrative va perdurer.
Plutôt que d’envisager cette situation comme une tendance cyclique à court terme, les experts du marché prédisent que ce goulot d’étranglement critique pourrait facilement se prolonger jusqu’en 2027 voire 2028, ce qui solidifiera les puces mémoire comme l’infrastructure de base de la révolution de l’IA en cours.
DRAM a grimpé de 90 % depuis son introduction
DRAM a gagné 90 % depuis le 6 avril 2026, et 58,19 % au cours du mois dernier. Pendant ce temps, MU a grimpé de 102,93 % depuis cette même date.
Il a clôturé en baisse de 3,61 % mardi à 766,58 dollars l’unité, et il était en hausse de 5,95 % dans le pré-marché mercredi. Les classements des titres Edge de Benzinga indiquent que MU maintient une forte tendance des prix à court, moyen et long terme, avec un faible classement de la valeur.
Avertissement : Ce contenu a été partiellement produit à l’aide d’outils d’IA, puis revu et publié par les éditeurs de Benzinga.
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